半导体结构及其测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510010249.9

申请日：

2025-01-03

公开(公告)号：

CN119890188A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

陈翀一刘淑娟杨展頔彭昊阳

申请人：

湖北江城实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼

IPC主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L21/66 H10B80/00

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

董亚莉;吴素花

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/544申请日:20250103

共 50 条

[1]

半导体结构及其测试结构 [P].

杨家诚 ;

汪文婷 ;

王磊 .

中国专利 :CN113571498A ,2021-10-29

[2]

半导体测试结构及其制备方法 [P].

王蒙 ;

张保华 ;

曾心如 ;

钱卫松 .

中国专利 :CN120446711A ,2025-08-08

[3]

半导体测试结构及其制备方法 [P].

王蒙 ;

张保华 .

中国专利 :CN120254540A ,2025-07-04

[4]

半导体测试结构及其制备方法 [P].

王蒙 ;

张保华 ;

陈婷 .

中国专利 :CN120600728A ,2025-09-05

[5]

半导体测试结构及其测试方法 [P].

苏炳熏 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 .

中国专利 :CN118841400A ,2024-10-25

[6]

半导体测试结构及其测试方法 [P].

郭歆 .

中国专利 :CN118352343A ,2024-07-16

[7]

半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法 [P].

连建伟 .

中国专利 :CN115799090B ,2025-05-30

[8]

半导体结构及其测试方法 [P].

吴芳 ;

克里斯托弗·大卫·华生 ;

科里奥·尤里·皮梅诺夫 ;

优瑞·洛文 ;

唐涌波 .

中国专利 :CN117410815A ,2024-01-16

[9]

半导体结构及其测试方法 [P].

朱淑娟 ;

张春雨 ;

渠汇 .

中国专利 :CN118553721A ,2024-08-27

[10]

半导体结构及其测试方法 [P].

韦仕贡 ;

张欣慰 ;

张彦秀 ;

杨京花 .

中国专利 :CN112802768B ,2021-05-14

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