一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610117154.4

申请日：

2006-10-13

公开(公告)号：

CN1933263A

公开(公告)日：

2007-03-21

发明(设计)人：

吴惠桢曹萌劳燕锋黄占超刘成谢正生

申请人：

申请人地址：

200050上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-21	公开	公开
2008-11-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种应变多量子阱激光器有源层应变补偿的方法 [P].

贾华宇 ;

朱天雄 ;

李灯熬 ;

汤宝 ;

刘应军 .

中国专利 :CN106253056A ,2016-12-21

[2]

一种提高卟啉ECL体系发光强度的方法 [P].

卢小泉 ;

王菊霞 ;

孙璐 ;

刘秀娟 ;

张鹏萍 ;

唐淑园 ;

赵睿 ;

焦小梅 ;

白蕾 ;

韩振刚 .

中国专利 :CN112903771A ,2021-06-04

[3]

一种生长多量子阱的方法、多量子阱 [P].

朱建军 ;

陆书龙 ;

李雪飞 ;

杨文献 .

中国专利 :CN114975698B ,2025-12-02

[4]

一种提高室温磷光材料发光强度的方法 [P].

王宏 ;

袁剑辉 ;

魏赛赛 ;

冯路 ;

杨亚江 .

中国专利 :CN108912128B ,2018-11-30

[5]

一种提高蓄光型发光浆料发光强度的方法 [P].

王少卿 .

中国专利 :CN101892050A ,2010-11-24

[6]

基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 [P].

刘艳 ;

高曦 ;

韩根全 ;

郝跃 ;

张庆芳 .

中国专利 :CN107342535B ,2017-11-10

[7]

一种量子阱、多量子阱外延结构及其制备方法 [P].

杨玲芳 ;

单智发 ;

张永 ;

李洪雨 ;

郑韬 .

中国专利 :CN120389289A ,2025-07-29

[8]

应力发光强度增强用片、应力发光强度的增强方法及测量方法 [P].

金丸训明 .

日本专利 :CN120141696A ,2025-06-13

[9]

一种提高GaN基LED发光效率的多量子阱结构 [P].

罗绍军 ;

靳彩霞 ;

董志江 ;

艾常涛 ;

李鸿建 ;

李四明 .

中国专利 :CN103117341A ,2013-05-22

[10]

一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法 [P].

李永 .

中国专利 :CN103022285A ,2013-04-03

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