半导体器件以及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03826794.2

申请日：

2003-08-28

公开(公告)号：

CN100461410C

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

宇佐美光雄

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

G06K1907 G06K19077

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-12	公开	公开
2009-02-11	授权	授权
2016-10-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101683484562 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL038267942 申请日:20030828 授权公告日:20090211 终止日期:20150828
2006-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件以及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

前川和义 ;

河野祐一 .

中国专利 :CN105720027A ,2016-06-29

[2]

半导体器件以及其制造方法 [P].

竹胁利至 ;

上野和良 .

中国专利 :CN1815728A ,2006-08-09

[3]

半导体器件以及其制造方法 [P].

森本昇 ;

藤泽雅彦 ;

儿玉大介 .

中国专利 :CN1956173B ,2007-05-02

[4]

半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法 [P].

高桥英树 ;

金田充 .

中国专利 :CN1485927A ,2004-03-31

[5]

半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

江头克 .

中国专利 :CN1260804C ,2002-11-13

[6]

半导体衬底及其制造方法以及半导体器件 [P].

永野元 ;

水岛一郎 ;

宫野清孝 .

中国专利 :CN1670956A ,2005-09-21

[7]

半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 [P].

川野连也 ;

田代勉 ;

栗田洋一郎 .

中国专利 :CN100449762C ,2006-01-04

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

根本义彦 ;

谷田一真 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN1305133C ,2004-06-16

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

高樋充浩 ;

森谷和弘 .

中国专利 :CN101176194A ,2008-05-07

[10]

半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN100543939C ,2007-02-21

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