半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710680196.7

申请日：

2017-08-10

公开(公告)号：

CN108231683A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

游佳达王圣祯杨正宇李凱璿杨世海杨丰诚陈燕铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088 H01L2978

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	公开	公开
2018-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20170810
2020-05-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

张志豪 ;

莫亦先 ;

郭文晖 .

中国专利 :CN107068761B ,2017-08-18

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

刘埃森 ;

蔡滨祥 ;

林进富 .

中国专利 :CN110867441A ,2020-03-06

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN115566072A ,2023-01-03

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN115566072B ,2025-09-02

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

谢志宏 ;

廖忠志 .

中国专利 :CN107039455B ,2017-08-11

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

李文深 ;

温晋炀 ;

马瑞吉 ;

陈星星 ;

黄志豪 .

中国专利 :CN110504240B ,2019-11-26

[7]

制造半导体元件的方法 [P].

陈维邦 ;

郭廷晃 ;

张简旭珂 ;

郑志成 ;

罗光耀 .

中国专利 :CN109411338B ,2019-03-01

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

谢朝景 ;

张俊杰 ;

洪宗佑 .

中国专利 :CN101170066A ,2008-04-30

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

洪铭钦 ;

林威廷 ;

涂峻豪 ;

陈嘉祥 .

中国专利 :CN102097324A ,2011-06-15

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

宫永昭治 ;

坂仓真之 ;

肥塚纯一 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 .

中国专利 :CN104934483B ,2015-09-23

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