半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810466671.5

申请日：

2018-05-16

公开(公告)号：

CN110504240B

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

李文深温晋炀马瑞吉陈星星黄志豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	授权	授权
2019-11-26	公开	公开
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20180516

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

刘埃森 ;

蔡滨祥 ;

林进富 .

中国专利 :CN110867441A ,2020-03-06

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

邱显钦 ;

施英汝 .

中国专利 :CN111696934A ,2020-09-22

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

游佳达 ;

王圣祯 ;

杨正宇 ;

李凱璿 ;

杨世海 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN108231683A ,2018-06-29

[4]

半导体元件、半导体元件阵列基板及其制造方法 [P].

川村哲也 .

中国专利 :CN1629706A ,2005-06-22

[5]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

谢朝景 ;

张俊杰 ;

洪宗佑 .

中国专利 :CN101170066A ,2008-04-30

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

洪铭钦 ;

林威廷 ;

涂峻豪 ;

陈嘉祥 .

中国专利 :CN102097324A ,2011-06-15

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

宫永昭治 ;

坂仓真之 ;

肥塚纯一 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 .

中国专利 :CN104934483B ,2015-09-23

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

松本良辅 .

日本专利 :CN112771671B ,2024-12-17

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

曹明焕 ;

李锡雨 ;

鸟羽隆一 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN103890914A ,2014-06-25

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