半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510477191.5

申请日：

2015-08-06

公开(公告)号：

CN105374854B

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

森彻

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

舒艳君;李洋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	授权	授权
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738365585 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2015104771915 申请日:20150806
2016-03-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113597661A ,2021-11-02

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113614924A ,2021-11-05

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

大月咏子 ;

吉浦康博 .

日本专利 :CN119545854A ,2025-02-28

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小川和也 ;

大佐贺毅 .

中国专利 :CN113039630A ,2021-06-25

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小川和也 ;

大佐贺毅 .

日本专利 :CN113039630B ,2024-09-17

[8]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

福田祐介 .

中国专利 :CN105324833A ,2016-02-10

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

清水壮 .

日本专利 :CN118645528A ,2024-09-13

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 ;

星保幸 ;

原田祐一 ;

酒井善行 ;

岩谷将伸 ;

吕民雅 .

中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10

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