半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410006096.9

申请日：

2004-02-27

公开(公告)号：

CN1525562A

公开(公告)日：

2004-09-01

发明(设计)人：

清利正弘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2701

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;陈海红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-02	授权	授权
2004-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-09-01	公开	公开
2014-04-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101581441217 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL2004100060969 申请日:20040227 授权公告日:20080402 终止日期:20130227

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

清利正弘 .

中国专利 :CN100379000C ,2004-09-01

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN101253621A ,2008-08-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

稗田克彦 .

中国专利 :CN100420023C ,2004-05-26

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

置田阳一 ;

小室玄一 .

中国专利 :CN101238573A ,2008-08-06

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101627470A ,2010-01-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 .

中国专利 :CN101982884A ,2011-03-02

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

张朝钦 ;

吴正一 ;

蔡建欣 ;

林明辉 ;

林艺民 ;

李锦思 ;

张文山 ;

陈宜辉 .

中国专利 :CN106981474A ,2017-07-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 .

中国专利 :CN1794452B ,2006-06-28

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN100367407C ,1998-08-12

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