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一种低功耗MOS场效应管

被引：0
申请号：
CN202220777396.0
申请日：
2022-04-06
公开(公告)号：
CN216928555U
公开(公告)日：
2022-07-08
发明(设计)人：
余朝阳
申请人：
申请人地址：
518110 广东省深圳市龙华区观湖街道鹭湖社区高新园观乐路5号多彩科技城2号楼806
IPC主分类号：
H01L2332
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-08 授权 授权
共 50 条
[1]
低功耗功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988890U ,2021-08-17
[2]
一种低功耗mos场效应管 [P]. 
盛伟刚 ;
李捷 .
中国专利 :CN221149984U ,2024-06-14
[3]
低功耗场效应管 [P]. 
刘道国 .
中国专利 :CN211150563U ,2020-07-31
[4]
功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29
[5]
一种高频低功耗的功率MOS场效应管器件 [P]. 
俞国庆 ;
吴勇军 .
中国专利 :CN104241341A ,2014-12-24
[6]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
钟惠生 ;
李冰 .
中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15
[7]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385417U ,2019-01-15
[8]
一种半导体MOS场效应管 [P]. 
覃德益 .
中国专利 :CN214898397U ,2021-11-26
[9]
一种半导体MOS场效应管结构 [P]. 
刘曦 .
中国专利 :CN218456064U ,2023-02-07
[10]
一种功率沟槽式MOS场效应管 [P]. 
梅小杰 ;
林河北 ;
杜永琴 .
中国专利 :CN210092060U ,2020-02-18
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