接触孔的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910084636.8

申请日：

2009-05-18

公开(公告)号：

CN101894791B

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

张海洋王新鹏符雅丽

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-24	公开	公开
2011-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101029374721 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100846368 申请日:20090518
2014-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

接触孔的形成方法 [P].

杨渝书 ;

李程 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102683273A ,2012-09-19

[2]

接触孔形成方法 [P].

董献国 .

中国专利 :CN110767602B ,2020-02-07

[3]

接触孔形成方法 [P].

杨昌辉 ;

奚裴 ;

肖海波 .

中国专利 :CN102148191B ,2011-08-10

[4]

通孔或接触孔的形成方法 [P].

李程 ;

吴敏 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646922B ,2014-03-19

[5]

接触孔的形成方法 [P].

施江 ;

李刚 ;

张亮 .

中国专利 :CN115036269A ,2022-09-09

[6]

接触孔形成方法 [P].

宋伟基 ;

朱旋 ;

陈昱升 ;

毛刚 .

中国专利 :CN101123212A ,2008-02-13

[7]

接触孔形成方法 [P].

宋伟基 ;

朱旋 ;

陈昱升 ;

何德飚 .

中国专利 :CN100483673C ,2008-02-13

[8]

接触孔的形成方法、半导体结构 [P].

任小兵 ;

许忠能 ;

薛浩 ;

王吉伟 .

中国专利 :CN102263055A ,2011-11-30

[9]

接触孔及其形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104681538B ,2015-06-03

[10]

接触孔的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN102468217B ,2012-05-23

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