一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610244597.3
申请日
2016-04-19
公开(公告)号
CN105712719A
公开(公告)日
2016-06-29
发明(设计)人
张士察 孙振德
申请人
申请人地址
101100 北京市通州区经济开发区东区靓丽五街06号
IPC主分类号
C04B3564
IPC分类号
C04B35457
代理机构
北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015
代理人
齐永红
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
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唐智勇 .
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[3]
高密度ITO靶材及其制造方法 [P]. 
徐华蕊 ;
廖春图 ;
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[4]
高密度ITO靶材的制备方法 [P]. 
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[5]
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陆映东 ;
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[6]
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[7]
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[8]
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骆胜磊 ;
曹立江 ;
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乔向力 .
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[9]
一种ITO靶材的常压烧结方法 [P]. 
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黄誓成 ;
农浩 ;
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韦林超 ;
张倍维 ;
谭泽旦 .
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[10]
一种高密度ITO靶材的制备方法 [P]. 
朱归胜 ;
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