一种高密度IGZO旋转靶材的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610245095.2
申请日
2016-04-19
公开(公告)号
CN105906338A
公开(公告)日
2016-08-31
发明(设计)人
张士察 孙振德 徐齐光
申请人
申请人地址
101100 北京市通州区经济开发区东区靓丽五街06号
IPC主分类号
C04B35453
IPC分类号
C04B35622
代理机构
北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015
代理人
齐永红
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法 [P]. 
张士察 ;
孙振德 .
中国专利 :CN105712719A ,2016-06-29
[2]
一种高密度低温烧结IGZO靶材及其制备方法 [P]. 
曾墩风 ;
王志强 ;
曾探 ;
鄢波 ;
陈光园 .
中国专利 :CN120518390B ,2025-09-26
[3]
一种高密度低温烧结IGZO靶材及其制备方法 [P]. 
曾墩风 ;
王志强 ;
曾探 ;
鄢波 ;
陈光园 .
中国专利 :CN120518390A ,2025-08-22
[4]
一种加镓的AZO高密度旋转靶材 [P]. 
胡茂横 ;
张剑华 .
中国专利 :CN206579222U ,2017-10-24
[5]
高密度ITO靶材及其制造方法 [P]. 
徐华蕊 ;
廖春图 ;
周怀营 ;
胡林轩 ;
刘心宇 .
中国专利 :CN1528945A ,2004-09-15
[6]
一种钴酸锂高密度旋转靶材 [P]. 
胡茂横 .
中国专利 :CN204417583U ,2015-06-24
[7]
一种压力烧结高密度ITO旋转靶材 [P]. 
胡茂横 .
中国专利 :CN205295447U ,2016-06-08
[8]
高纯高密度ITO靶材的制备方法 [P]. 
钟小华 ;
麻七克 ;
朱刘 ;
童培云 .
中国专利 :CN105712703A ,2016-06-29
[9]
高密度ITO靶材的制备方法 [P]. 
黄岩 ;
丁迎春 ;
钱政宇 .
中国专利 :CN108911707A ,2018-11-30
[10]
一种高密度氧化镍基旋转靶材及其制备方法 [P]. 
马超宁 ;
牛潇迪 ;
黄誓成 ;
侯远欣 ;
孟红波 ;
王淑娜 .
中国专利 :CN118206360A ,2024-06-18