一种高密度低温烧结IGZO靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511029821.2

申请日：

2025-07-25

公开(公告)号：

CN120518390B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

曾墩风王志强曾探鄢波陈光园

申请人：

芜湖映日科技股份有限公司

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市(安徽)自由贸易试验区芜湖片区衡山路南侧、凤鸣湖北路西侧1#厂房

IPC主分类号：

C04B35/453

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/645 C23C14/08

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

张凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省唐山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/453申请日:20250725
2025-09-26	授权	授权
2025-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高密度低温烧结IGZO靶材及其制备方法 [P].

曾墩风 ;

王志强 ;

曾探 ;

鄢波 ;

陈光园 .

中国专利 :CN120518390A ,2025-08-22

[2]

一种高密度IGZO旋转靶材的制造方法 [P].

张士察 ;

孙振德 ;

徐齐光 .

中国专利 :CN105906338A ,2016-08-31

[3]

一种高密度、高导电性、低电阻率IGZO靶材及其制备方法 [P].

曾墩风 ;

王志强 ;

鄢波 ;

曾探 .

中国专利 :CN119613093A ,2025-03-14

[4]

一种新型高密度ITO靶材制备方法 [P].

唐安泰 .

中国专利 :CN110818404A ,2020-02-21

[5]

一种新型高密度ITO靶材制备方法 [P].

唐安泰 .

中国专利 :CN120097721A ,2025-06-06

[6]

一种高密度IZTO靶材的制备方法 [P].

曾墩风 ;

陈光园 ;

王志强 ;

曾探 ;

赵岩 .

中国专利 :CN116768604B ,2024-08-30

[7]

一种高密度氧化物靶材及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

吴鸿毅 ;

陆洲 ;

刘成龙 .

中国专利 :CN118932286B ,2025-10-17

[8]

一种注浆成型高密度AZO靶材的制备方法 [P].

张天舒 ;

宋晓超 ;

陈晨 ;

钱邦正 .

中国专利 :CN107032781A ,2017-08-11

[9]

一种高密度氧化物靶材及其制备方法 [P].

张高祥 ;

王奇峰 ;

李开杰 ;

吴鸿毅 ;

陆洲 ;

刘成龙 .

中国专利 :CN118932286A ,2024-11-12

[10]

一种IGZO靶材的烧结制备方法及其应用 [P].

周志宏 ;

陈常清 ;

周昭宇 .

中国专利 :CN118184311B ,2024-08-13

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