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氮化镓半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710487764.1
申请日：
2017-06-23
公开(公告)号：
CN107293577B
公开(公告)日：
2017-10-24
发明(设计)人：
刘美华
林信南
刘岩军
申请人：
申请人地址：
518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2940
H01L29423
H01L2947
H01L21335
H01L29778
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
王华英
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-04-30 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20210419 变更事项:专利权人 变更前权利人:深圳市晶相技术有限公司 变更后权利人:深圳市辰中科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:518052 广东省深圳市深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室 变更后权利人:518000 广东省深圳市福田区香蜜湖街道竹林社区金众街2号益华综合楼A、B栋A栋八层北03# |
| 2020-08-21 | 授权 | 授权 |
| 2017-11-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170623 |
| 2017-10-24 | 公开 | 公开 |