一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的气源和系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011246917.1

申请日：

2020-11-10

公开(公告)号：

CN112481606A

公开(公告)日：

2021-03-12

发明(设计)人：

闫路上官泉元

申请人：

申请人地址：

225500 江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号

IPC主分类号：

C23C1650

IPC分类号：

C23C1624 C23C1654 H01L310216 H01L3118

代理机构：

北京集智东方知识产权代理有限公司 11578

代理人：

吴倩

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/50 申请公布日:20210312
2021-03-12	公开	公开
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/50 申请日:20201110

共 50 条

[1]

一种TOPCon太阳能电池原位掺杂钝化层的制备方法和系统 [P].

闫路 ;

上官泉元 .

中国专利 :CN112271237B ,2021-01-26

[2]

一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法 [P].

王德昌 ;

李景 ;

孙晓凯 .

中国专利 :CN112397385B ,2021-02-23

[3]

薄膜太阳能电池多级PECVD沉积设备 [P].

李毅 ;

虞晓江 ;

胡盛明 .

中国专利 :CN102277562B ,2011-12-14

[4]

带有δ掺杂层的太阳能电池 [P].

X-Q·刘 ;

C·M·菲泽 ;

D·C·劳 .

中国专利 :CN103296104B ,2013-09-11

[5]

一种化学气相沉积系统和太阳能电池制造系统 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN214271041U ,2021-09-24

[6]

一种薄膜太阳能电池吸收层的沉积掺杂装置 [P].

彭寿 ;

马立云 ;

潘锦功 ;

殷新建 ;

邬小凤 .

中国专利 :CN108866515A ,2018-11-23

[7]

具有掺杂缓冲层的太阳能电池和制造太阳能电池的方法 [P].

吴志力 .

中国专利 :CN105789353A ,2016-07-20

[8]

一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法和系统 [P].

上官泉元 ;

闫路 .

中国专利 :CN112271235A ,2021-01-26

[9]

太阳能电池本征层和掺杂层、制备方法、制备装置和太阳能电池 [P].

董雪迪 ;

林佳继 ;

张武 .

中国专利 :CN115312611A ,2022-11-08

[10]

一种太阳能电池、太阳能电池的沉积方法以及沉积设备 [P].

彭聪 ;

刘尧章 ;

曹维维 .

中国专利 :CN120475818A ,2025-08-12

← 1 2 3 4 5 →