用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03132786.9

申请日：

2003-07-08

公开(公告)号：

CN100421263C

公开(公告)日：

2004-05-12

发明(设计)人：

李基龙朴志容苏宇永

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

封新琴;巫肖南

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-24	授权	授权
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101478944298 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL031327869 变更事项:专利权人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121101
2005-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:三星SDI株式会社变更后权利人:三星移动显示器株式会社变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道登记生效日:20090109
2004-05-12	公开	公开

共 50 条

[1]

用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件 [P].

李基龙 .

中国专利 :CN1310338C ,2003-07-30

[2]

制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管 [P].

拉梅什·卡卡德 .

中国专利 :CN1658376A ,2005-08-24

[3]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

刘红侠 ;

栾苏珍 .

中国专利 :CN101286530B ,2008-10-15

[4]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610651A ,2012-07-25

[5]

形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管 [P].

官大新 ;

叶昱均 ;

闫立志 ;

韩开 .

中国专利 :CN105990098B ,2016-10-05

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

朱涛 ;

刘玉成 .

中国专利 :CN103050410A ,2013-04-17

[7]

低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN103219230B ,2013-07-24

[8]

多晶硅薄膜的制备方法和薄膜晶体管 [P].

张卜芳 ;

李松杉 .

中国专利 :CN110085511A ,2019-08-02

[9]

多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管 [P].

李栋 ;

陆小勇 ;

张帅 ;

刘政 ;

龙春平 .

中国专利 :CN105185694A ,2015-12-23

[10]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

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