用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03101694.4

申请日：

2003-01-14

公开(公告)号：

CN1310338C

公开(公告)日：

2003-07-30

发明(设计)人：

李基龙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21205 G02F1136

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

巫肖南;封新琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	授权	授权
2003-07-30	公开	公开
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101478946614 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL031016944 变更事项:专利权人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121101
2005-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:三星SDI株式会社变更后权利人:三星移动显示器株式会社变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道登记生效日:20090109

共 50 条

[1]

用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件 [P].

李基龙 ;

朴志容 ;

苏宇永 .

中国专利 :CN100421263C ,2004-05-12

[2]

制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管 [P].

拉梅什·卡卡德 .

中国专利 :CN1658376A ,2005-08-24

[3]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

刘红侠 ;

栾苏珍 .

中国专利 :CN101286530B ,2008-10-15

[4]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610651A ,2012-07-25

[5]

形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管 [P].

官大新 ;

叶昱均 ;

闫立志 ;

韩开 .

中国专利 :CN105990098B ,2016-10-05

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

朱涛 ;

刘玉成 .

中国专利 :CN103050410A ,2013-04-17

[7]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[8]

低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

陈韵升 .

中国专利 :CN1259693C ,2004-10-27

[9]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN2717021Y ,2005-08-10

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