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存储器及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010394881.5
申请日
:
2020-05-08
公开(公告)号
:
CN111540738B
公开(公告)日
:
2020-08-14
发明(设计)人
:
冯立伟
申请人
:
申请人地址
:
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
:
H01L27108
IPC分类号
:
H01L218242
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
王宏婧
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-09-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200508
2020-08-14
公开
公开
2022-06-17
授权
授权
共 50 条
[1]
存储器及其形成方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN110875318B
,2024-05-21
[2]
存储器及其形成方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110875318A
,2020-03-10
[3]
存储器结构及其形成方法
[P].
韩亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩亮
;
王海英
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王海英
.
中国专利
:CN112670287A
,2021-04-16
[4]
存储器结构及其形成方法
[P].
于涛易
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
于涛易
;
江红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
江红
.
中国专利
:CN114695563B
,2025-12-02
[5]
存储器结构及其形成方法
[P].
韩亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
韩亮
;
王海英
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王海英
.
中国专利
:CN112670287B
,2025-02-25
[6]
SONOS存储器及其形成方法
[P].
王宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王宁
;
张可钢
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张可钢
.
中国专利
:CN120264760A
,2025-07-04
[7]
存储器结构及其形成方法
[P].
于涛易
论文数:
0
引用数:
0
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0
于涛易
;
江红
论文数:
0
引用数:
0
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0
江红
.
中国专利
:CN114695563A
,2022-07-01
[8]
相变存储器及其形成方法
[P].
何作鹏
论文数:
0
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0
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0
何作鹏
;
李志超
论文数:
0
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0
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0
李志超
;
赵洪波
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵洪波
.
中国专利
:CN105244437A
,2016-01-13
[9]
相变存储器及其形成方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
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0
三重野文健
;
庞军玲
论文数:
0
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0
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0
庞军玲
;
洪中山
论文数:
0
引用数:
0
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0
洪中山
.
中国专利
:CN102376877A
,2012-03-14
[10]
存储器及其形成方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN111816658B
,2020-10-23
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