存储器及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010394881.5
申请日
2020-05-08
公开(公告)号
CN111540738B
公开(公告)日
2020-08-14
发明(设计)人
冯立伟
申请人
申请人地址
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
王宏婧
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
存储器及其形成方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110875318B ,2024-05-21
[2]
存储器及其形成方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110875318A ,2020-03-10
[3]
存储器结构及其形成方法 [P]. 
韩亮 ;
王海英 .
中国专利 :CN112670287A ,2021-04-16
[4]
存储器结构及其形成方法 [P]. 
于涛易 ;
江红 .
中国专利 :CN114695563B ,2025-12-02
[5]
存储器结构及其形成方法 [P]. 
韩亮 ;
王海英 .
中国专利 :CN112670287B ,2025-02-25
[6]
SONOS存储器及其形成方法 [P]. 
王宁 ;
张可钢 .
中国专利 :CN120264760A ,2025-07-04
[7]
存储器结构及其形成方法 [P]. 
于涛易 ;
江红 .
中国专利 :CN114695563A ,2022-07-01
[8]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
何作鹏 ;
李志超 ;
赵洪波 .
中国专利 :CN105244437A ,2016-01-13
[9]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
三重野文健 ;
庞军玲 ;
洪中山 .
中国专利 :CN102376877A ,2012-03-14
[10]
存储器及其形成方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111816658B ,2020-10-23