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存储器结构及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910986115.5
申请日
:
2019-10-16
公开(公告)号
:
CN112670287A
公开(公告)日
:
2021-04-16
发明(设计)人
:
韩亮
王海英
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L2711524
IPC分类号
:
H01L2128
H01L29423
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-16
公开
公开
2021-05-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20191016
共 50 条
[1]
存储器结构及其形成方法
[P].
韩亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
韩亮
;
王海英
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王海英
.
中国专利
:CN112670287B
,2025-02-25
[2]
存储器结构及其形成方法
[P].
于涛易
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
于涛易
;
江红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
江红
.
中国专利
:CN114695563B
,2025-12-02
[3]
存储器结构及其形成方法
[P].
于涛易
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于涛易
;
江红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
江红
.
中国专利
:CN114695563A
,2022-07-01
[4]
存储器及其形成方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN110875318B
,2024-05-21
[5]
存储器及其形成方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110875318A
,2020-03-10
[6]
存储器及其形成方法
[P].
冯立伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯立伟
.
中国专利
:CN111540738B
,2020-08-14
[7]
存储器结构及其形成方法
[P].
宋雅丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋雅丽
.
中国专利
:CN109003985A
,2018-12-14
[8]
存储器结构及其形成方法
[P].
胡生民
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
胡生民
.
中国专利
:CN119603965A
,2025-03-11
[9]
存储器结构及其形成方法
[P].
林士杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林士杰
;
柯顺祥
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柯顺祥
.
中国专利
:CN113078157A
,2021-07-06
[10]
存储器结构及其形成方法
[P].
凌婉怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
凌婉怡
;
任堃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
任堃
;
吴永玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
吴永玉
;
高大为
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
高大为
.
中国专利
:CN119156012B
,2025-12-02
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