存储器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810890862.4

申请日：

2018-08-07

公开(公告)号：

CN109003985A

公开(公告)日：

2018-12-14

发明(设计)人：

宋雅丽

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L2711578

IPC分类号：

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

董琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	公开	公开
2019-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11578 申请日:20180807

共 50 条

[1]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003985B ,2024-03-29

[2]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003986A ,2018-12-14

[3]

存储器结构及其形成方法 [P].

王登善 ;

代洪刚 ;

巨晓华 ;

周朝锋 ;

李勇 .

中国专利 :CN118471796A ,2024-08-09

[4]

存储器结构及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540100B ,2024-02-09

[5]

存储器结构及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540100A ,2021-10-22

[6]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[7]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116A ,2021-10-22

[8]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116B ,2024-08-02

[9]

非易失性存储器结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101996951B ,2011-03-30

[10]

半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法 [P].

朱一明 ;

平尔萱 .

中国专利 :CN113644066A ,2021-11-12

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