存储器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110728558.1

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN113540100B

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

吴咏捷何彦忠魏惠娴游嘉榕许秉诚马礼修林仲德

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B53/30

IPC分类号：

H10B53/40 H10B61/00 H10B63/00 H10B63/10

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器结构及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540100A ,2021-10-22

[2]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[3]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003985A ,2018-12-14

[4]

存储器结构及其形成方法 [P].

王登善 ;

代洪刚 ;

巨晓华 ;

周朝锋 ;

李勇 .

中国专利 :CN118471796A ,2024-08-09

[5]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003985B ,2024-03-29

[6]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003986A ,2018-12-14

[7]

存储器结构及其形成方法 [P].

胡生民 .

中国专利 :CN119603965A ,2025-03-11

[8]

存储器结构及其形成方法 [P].

林士杰 ;

柯顺祥 .

中国专利 :CN113078157A ,2021-07-06

[9]

存储器结构及其形成方法 [P].

韩亮 ;

王海英 .

中国专利 :CN112670287A ,2021-04-16

[10]

存储器结构及其形成方法 [P].

凌婉怡 ;

任堃 ;

吴永玉 ;

高大为 .

中国专利 :CN119156012B ,2025-12-02

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