存储器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411288323.5

申请日：

2024-09-13

公开(公告)号：

CN119156012B

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

凌婉怡任堃吴永玉高大为

申请人：

浙江创芯集成电路有限公司

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号

IPC主分类号：

H10B41/47

IPC分类号：

H10B41/41 H10B41/35 H10B43/35 H10B43/40

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/47申请日:20240913
2025-12-02	授权	授权
2024-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器结构及其形成方法 [P].

凌婉怡 ;

任堃 ;

吴永玉 ;

高大为 .

中国专利 :CN119156012A ,2024-12-17

[2]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003985A ,2018-12-14

[3]

存储器结构及其形成方法 [P].

胡生民 .

中国专利 :CN119603965A ,2025-03-11

[4]

存储器结构及其形成方法 [P].

林士杰 ;

柯顺祥 .

中国专利 :CN113078157A ,2021-07-06

[5]

存储器结构及其形成方法 [P].

韩亮 ;

王海英 .

中国专利 :CN112670287A ,2021-04-16

[6]

存储器结构及其形成方法 [P].

王登善 ;

代洪刚 ;

巨晓华 ;

周朝锋 ;

李勇 .

中国专利 :CN118471796A ,2024-08-09

[7]

存储器结构及其形成方法 [P].

刘勃彤 ;

顾林 ;

王虎 ;

何应春 ;

王辉 ;

王震 .

中国专利 :CN120786889A ,2025-10-14

[8]

存储器结构及其形成方法 [P].

申红杰 ;

何应春 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN119894004B ,2025-09-23

[9]

存储器结构及其形成方法 [P].

申红杰 ;

何应春 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN119894004A ,2025-04-25

[10]

存储器结构及其形成方法 [P].

于涛易 ;

江红 .

中国专利 :CN114695563B ,2025-12-02

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