一种亮黄色忆阻器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810612993.6

申请日：

2018-06-14

公开(公告)号：

CN108754574A

公开(公告)日：

2018-11-06

发明(设计)人：

杨峰余艳梅孙柏赵勇

申请人：

申请人地址：

610031 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处

IPC主分类号：

C25D1126

IPC分类号：

代理机构：

成都信博专利代理有限责任公司 51200

代理人：

张辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/26 申请日:20180614
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25D 11/26 申请公布日:20181106
2018-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于异价氧化铌的自整流忆阻器及其制备方法 [P].

唐明华 ;

钟晴 ;

燕少安 ;

朱颖方 ;

李刚 ;

赵江 ;

边疆 .

中国专利 :CN119730715A ,2025-03-28

[2]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

李祎 ;

黄晓弟 ;

付瑶瑶 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113346016A ,2021-09-03

[3]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

孙华军 ;

王青 ;

张金箭 ;

缪向水 .

中国专利 :CN103247756A ,2013-08-14

[4]

一种忆阻器的制备方法 [P].

孙柏 ;

张欣 ;

赵勇 ;

张勇 .

中国专利 :CN106953009A ,2017-07-14

[5]

侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法 [P].

唐建石 ;

胡若飞 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119365064A ,2025-01-24

[6]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[7]

忆阻器器件及其制备方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

刘琦 .

中国专利 :CN102931346A ,2013-02-13

[8]

忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片 [P].

许晓欣 ;

余杰 ;

董大年 ;

李晓燕 ;

郑旭 ;

吕杭炳 ;

刘明 .

中国专利 :CN113517391A ,2021-10-19

[9]

一种纳米薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

王来国 ;

吴迪 .

中国专利 :CN106206944A ,2016-12-07

[10]

一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器 [P].

李祎 ;

何毓辉 ;

付瑶瑶 ;

黄晓弟 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113517397B ,2021-10-19

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