在半导体基底上隔离元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02106883.6

申请日：

2002-03-07

公开(公告)号：

CN1444263A

公开(公告)日：

2003-09-24

发明(设计)人：

陈隆王腾锋杨人龙张世辉王永欣

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学园区

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄志华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-24	公开	公开
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-08-17	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃

共 50 条

[1]

半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN110649132B ,2020-01-03

[2]

半导体元件和隔离半导体元件的方法 [P].

皮昇浩 .

中国专利 :CN1638087A ,2005-07-13

[3]

在基底上制备多孔半导体膜的方法 [P].

M·杜尔 ;

G·内尔斯 ;

安田章夫 ;

Y·苏素基 ;

K·诺达 .

中国专利 :CN101611462A ,2009-12-23

[4]

半导体基底以及半导体元件 [P].

陈智伟 ;

林恒光 .

中国专利 :CN108206210B ,2018-06-26

[5]

在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 [P].

P·N·斯塔夫里诺 ;

T·S·琼斯 ;

G·帕里 .

中国专利 :CN1331195C ,2005-05-18

[6]

隔离半导体元件的方法 [P].

林载圻 ;

孙容宣 .

中国专利 :CN1622309A ,2005-06-01

[7]

在半导体元件中形成隔离层的方法 [P].

银炳秀 .

中国专利 :CN101383321B ,2009-03-11

[8]

在半导体基材上形成金氧半导体元件的方法 [P].

黄焕宗 ;

冯家馨 .

中国专利 :CN101207041A ,2008-06-25

[9]

在半导体基底上形成氮化钛层的方法 [P].

孔令芬 ;

李春雷 .

中国专利 :CN101556926B ,2009-10-14

[10]

在半导体基底上形成光阻层的方法 [P].

雍镇诚 ;

王明全 ;

杨长浩 .

中国专利 :CN1471131A ,2004-01-28

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