在半导体基底上形成氮化钛层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910051562.8

申请日：

2009-05-19

公开(公告)号：

CN101556926B

公开(公告)日：

2009-10-14

发明(设计)人：

孔令芬李春雷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2128 H01L2144 C23C1434

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-08	授权	授权
2014-06-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701792649 IPC(主分类):H01L 21/60 专利号:ZL2009100515628 变更事项:专利权人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140520
2009-10-14	公开	公开
2011-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101087117109 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2009100515628 申请日:20090519

共 50 条

[1]

在Ⅳ族半导体基底上形成外延层的方法 [P].

D·波普拉夫斯基 ;

F·莱米 ;

M·克尔曼 ;

A·梅泽 .

中国专利 :CN101647092A ,2010-02-10

[2]

在半导体基底上形成光阻层的方法 [P].

雍镇诚 ;

王明全 ;

杨长浩 .

中国专利 :CN1471131A ,2004-01-28

[3]

在半导体基底形成台阶的方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108109910B ,2018-06-01

[4]

在半导体基板上的层的形成 [P].

M.克尔曼 ;

Z.贾 ;

S.纳格 ;

R.迪蒂兹奥 .

中国专利 :CN109155240A ,2019-01-04

[5]

在半导体晶片上形成铜层的方法 [P].

辛迪·雷德西马·辛普森 ;

罗伯特·道格拉斯·米考拉 ;

马修·T·赫里克 ;

布勒特·卡罗琳·贝克尔 ;

戴维·摩拉勒兹·皮那 ;

爱德华·阿考斯塔 ;

利那·超德胡瑞 ;

马利金·阿兹拉克 ;

辛迪·凯·高尔德博格 ;

默罕穆德·拉比优尔·伊斯拉姆 .

中国专利 :CN1197128C ,2000-11-08

[6]

清洁组合物、清洁半导体基底的方法以及在半导体基底上形成配线的方法 [P].

横井滋 ;

胁屋和正 ;

原口高之 ;

M·A·赫斯塞恩 ;

L·I·乔恩格 ;

S·C·克拉克 .

中国专利 :CN1849386B ,2006-10-18

[7]

在半导体基底上隔离元件的方法 [P].

陈隆 ;

王腾锋 ;

杨人龙 ;

张世辉 ;

王永欣 .

中国专利 :CN1444263A ,2003-09-24

[8]

形成氮化钛层的方法 [P].

布伦达·D·克劳斯 ;

尤金·P·马什 .

中国专利 :CN101228617B ,2011-02-09

[9]

半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法 [P].

董耀旗 ;

林俊毅 ;

李化阳 .

中国专利 :CN101169600A ,2008-04-30

[10]

在半导体上形成沟槽的方法 [P].

周晓刚 .

中国专利 :CN114823478A ,2022-07-29

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