在半导体上形成沟槽的方法

被引：0

申请号：

CN202110122161.8

申请日：

2021-01-28

公开(公告)号：

CN114823478A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

周晓刚

申请人：

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21308 H01L21027

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体器件上形成沟槽的方法 [P].

长谷川英一 .

中国专利 :CN1260586A ,2000-07-19

[2]

在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法 [P].

黄錤铉 ;

金炳錤 .

中国专利 :CN1218987A ,1999-06-09

[3]

在半导体衬底中形成窄沟槽的方法 [P].

石甫渊 ;

苏根政 ;

约翰·E·阿马托 ;

布赖恩·D·普拉特 .

中国专利 :CN1592960A ,2005-03-09

[4]

用于在沟槽中形成半导体区的方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103972059B ,2014-08-06

[5]

在半导体器件中形成隔离沟槽的方法 [P].

吴容哲 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN1218988A ,1999-06-09

[6]

填充在半导体衬底中形成的沟槽的方法 [P].

B·赛迪 .

法国专利 :CN117727685A ,2024-03-19

[7]

半导体沟槽结构的形成方法 [P].

杨彦涛 ;

季锋 ;

江宇雷 ;

赵金波 ;

刘琛 ;

桑雨果 .

中国专利 :CN103824804A ,2014-05-28

[8]

在具有多个沟槽的半导体基板上形成层的方法 [P].

郑钟秀 ;

吴士豪 ;

许志贤 ;

钟嘉麒 ;

曾伟岳 .

中国专利 :CN102347212A ,2012-02-08

[9]

在STI沟槽中形成半导体材料的方法 [P].

马丁·克里斯多夫·霍兰德 ;

乔治斯·威廉提斯 .

中国专利 :CN104051267B ,2014-09-17

[10]

在半导体上形成电流迹线的方法 [P].

R·K·巴尔 ;

董华 .

中国专利 :CN102280522B ,2011-12-14

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