半导体沟槽结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410086071.8

申请日：

2014-03-10

公开(公告)号：

CN103824804A

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583214805 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014100860718 申请日:20140310
2017-03-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[2]

浅沟槽隔离的沟槽形成方法和半导体结构 [P].

朱旋 .

中国专利 :CN101290874A ,2008-10-22

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

武咏琴 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN114446790B ,2025-09-26

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105261566A ,2016-01-20

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

武咏琴 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN114446790A ,2022-05-06

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105990249A ,2016-10-05

[8]

隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

禹国宾 ;

徐小平 .

中国专利 :CN107887322A ,2018-04-06

[9]

沟槽的形成方法及半导体结构 [P].

童亮 .

中国专利 :CN103199053A ,2013-07-10

[10]

半导体沟槽结构 [P].

杨彦涛 ;

季锋 ;

江宇雷 ;

赵金波 ;

刘琛 ;

桑雨果 .

中国专利 :CN203733772U ,2014-07-23

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