半导体沟槽结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410086071.8

申请日：

2014-03-10

公开(公告)号：

CN103824804A

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583214805 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014100860718 申请日:20140310
2017-03-01	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[42]

半导体结构的形成方法 [P].

李广宁 .

中国专利 :CN103426751A ,2013-12-04

[43]

半导体结构的形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105097533A ,2015-11-25

[44]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN106856167B ,2017-06-16

[45]

半导体结构的形成方法 [P].

左敏 .

中国专利 :CN112885716B ,2021-06-01

[46]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN105374675A ,2016-03-02

[47]

半导体结构的形成方法 [P].

郗宁 .

中国专利 :CN110880455A ,2020-03-13

[48]

半导体结构的形成方法 [P].

韩秋华 ;

王艳良 .

中国专利 :CN113764278A ,2021-12-07

[49]

半导体结构的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN105448844B ,2016-03-30

[50]

半导体结构的形成方法 [P].

李凤莲 .

中国专利 :CN105448814A ,2016-03-30

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