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半导体沟槽结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410086071.8
申请日：
2014-03-10
公开(公告)号：
CN103824804A
公开(公告)日：
2014-05-28
发明(设计)人：
杨彦涛
季锋
江宇雷
赵金波
刘琛
桑雨果
申请人：
申请人地址：
310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
郑玮
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-05-28 | 公开 | 公开 |
| 2014-06-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583214805 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014100860718 申请日:20140310 |
| 2017-03-01 | 授权 | 授权 |