形成氮化钛层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680026567.X

申请日：

2006-07-19

公开(公告)号：

CN101228617B

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

布伦达·D·克劳斯尤金·P·马什

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王允方

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-09	授权	授权
2008-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制备氮化钛层的方法 [P].

金鼎泰 ;

黄成辅 .

中国专利 :CN1057799C ,1996-10-23

[2]

三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

熊攀 ;

马杰康 ;

毛格 ;

章科强 .

中国专利 :CN112466875A ,2021-03-09

[3]

氮化钛的形成方法 [P].

徐建华 ;

刘英明 ;

荆学珍 ;

何* .

中国专利 :CN106939411A ,2017-07-11

[4]

氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置 [P].

两角友一朗 ;

菱屋晋吾 ;

原田豪繁 .

中国专利 :CN102655085A ,2012-09-05

[5]

在半导体基底上形成氮化钛层的方法 [P].

孔令芬 ;

李春雷 .

中国专利 :CN101556926B ,2009-10-14

[6]

氮化钛膜的形成方法 [P].

亨利J·拉莫斯 .

中国专利 :CN1623008A ,2005-06-01

[7]

形成氮化钛层的方法及形成电容器的下电极的方法 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

金秉东 .

中国专利 :CN1808699A ,2006-07-26

[8]

保形且平滑的氮化钛层及其形成方法 [P].

郑昇勋 ;

N·慕克吉 ;

奥山美一 ;

N·纳吉博拉什拉菲 ;

B·B·尼 ;

金海英 ;

S·J·拉蒂 .

中国专利 :CN114729451A ,2022-07-08

[9]

保形且平滑的氮化钛层及其形成方法 [P].

赵贤哲 ;

金海英 ;

本森·B·尼 .

美国专利 :CN117355631A ,2024-01-05

[10]

氮化钛层的制造方法及其装置 [P].

徐锦添 .

中国专利 :CN101333641A ,2008-12-31

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