在半导体基材上形成金氧半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710097461.5

申请日：

2007-04-29

公开(公告)号：

CN101207041A

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

黄焕宗冯家馨

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-25	公开	公开
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体元件及形成半导体元件的方法 [P].

陈建豪 ;

聂俊峰 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1885557A ,2006-12-27

[2]

半导体元件及形成半导体元件的方法 [P].

王志豪 ;

陈尚志 ;

蔡庆威 ;

王大维 ;

蔡邦彦 .

中国专利 :CN1825627A ,2006-08-30

[3]

沟槽金氧半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110021656A ,2019-07-16

[4]

沟槽金氧半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110034179A ,2019-07-19

[5]

在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 [P].

P·N·斯塔夫里诺 ;

T·S·琼斯 ;

G·帕里 .

中国专利 :CN1331195C ,2005-05-18

[6]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120166763A ,2025-06-17

[7]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120164841A ,2025-06-17

[8]

在半导体元件上形成超低介电常数薄膜的方法和得到的半导体元件 [P].

郭徽腾 .

中国专利 :CN120015618A ,2025-05-16

[9]

用来在半导体基材上形成膜层的方法与装置及半导体基材 [P].

詹士-乌伊·福斯 ;

阮维特 ;

汤玛斯·沛尔瑙 ;

菲力克斯·华克 .

中国专利 :CN110537243A ,2019-12-03

[10]

水平扩散金氧半导体元件 [P].

苏潮源 ;

吴清逸 ;

陈弘斌 ;

张俊彦 .

中国专利 :CN104600100A ,2015-05-06

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