用于氧化物CMP的组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97181972.6

申请日：

1997-12-19

公开(公告)号：

CN1248994A

公开(公告)日：

2000-03-29

发明(设计)人：

高坦·S·格罗弗布赖恩·L·米勒

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

C09K314 H01L213105

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

巫肖南

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-12-12	著录事项变更	著录事项变更变更事项:发明人变更后:高坦·S·格罗弗;面赖恩·L·米勒;王淑敏变更前:高坦·S·格罗弗;面赖恩·L·米勒
2000-03-29	公开	公开
2004-09-29	授权	授权
2000-04-05	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2000-10-04	著录项目变更	著录项目变更变更事项:申请人变更前:卡伯特公司变更后:卡伯特微电子公司变更事项:地址变更前:美国马萨诸塞州变更后:美国伊利诺伊州
2018-01-23	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:19971219 授权公告日:20040929

共 50 条

[1]

用于改善氧化物移除速率的CMP组合物 [P].

菲利普·卡特 ;

罗伯特·瓦卡西 .

中国专利 :CN101379154A ,2009-03-04

[2]

氧化物组合物 [P].

Ｂ·内伊 .

中国专利 :CN1046438C ,1994-08-17

[3]

用于CMP的涂覆金属氧化物颗粒 [P].

弗雷德·F·森 ;

陆斌 ;

伊桑·K·莱特尔 ;

王淑敏 .

中国专利 :CN102127370A ,2011-07-20

[4]

用于CMP的涂覆金属氧化物颗粒 [P].

弗雷德·F·森 ;

陆斌 ;

伊桑·K·莱特尔 ;

王淑敏 .

中国专利 :CN1809620A ,2006-07-26

[5]

用于锡氧化物半导体的组合物以及形成锡氧化物半导体薄膜的方法 [P].

崔千基 ;

牟然坤 ;

金显栽 ;

林炫秀 ;

金是鐏 ;

郑泰秀 ;

林裕承 .

中国专利 :CN104276601A ,2015-01-14

[6]

包含硅烷改性金属氧化物的组合物 [P].

J.A.贝尔蒙特 .

中国专利 :CN102361940A ,2012-02-22

[7]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

金童基 ;

田玹守 ;

郑敬燮 .

中国专利 :CN103911156B ,2014-07-09

[8]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

田玹守 .

中国专利 :CN103911157A ,2014-07-09

[9]

用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物 [P].

权五炳 ;

金童基 ;

李智娟 .

中国专利 :CN103911158A ,2014-07-09

[10]

用于提高氧化物移除速率的镓与铬离子 [P].

斯蒂芬·格鲁姆比尼 .

中国专利 :CN101490204A ,2009-07-22

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