多层半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710004096.9

申请日：

2007-01-23

公开(公告)号：

CN101009247A

公开(公告)日：

2007-08-01

发明(设计)人：

孙龙勋姜声官李钟昱

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238 H01L21768 H01L27088 H01L27092 H01L23522

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-01	公开	公开
2011-08-24	授权	授权
2015-03-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602182977 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL2007100040969 申请日:20070123 授权公告日:20110824 终止日期:20140123
2009-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明広 .

中国专利 :CN100380655C ,2005-08-17

[2]

多层半导体器件及其制造方法 [P].

堀川泰爱 .

中国专利 :CN1444269A ,2003-09-24

[3]

多层半导体器件及其制造方法 [P].

林炫锡 ;

朴知淳 ;

姜东祚 ;

金廷昱 ;

朴仁善 ;

李怰锡 .

中国专利 :CN1877810A ,2006-12-13

[4]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[5]

晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法 [P].

森若智昭 .

中国专利 :CN101043026A ,2007-09-26

[6]

MIS半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1092556A ,1994-09-21

[7]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

木村嘉伸 ;

松村正清 ;

西谷干彦 ;

平松雅人 ;

十文字正之 ;

山元良高 ;

小关秀夫 .

中国专利 :CN1568549A ,2005-01-19

[8]

薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1162189A ,1997-10-15

[9]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

宫野清孝 ;

水岛一郎 .

中国专利 :CN1288717C ,2004-09-22

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

神田良 ;

松浦仁 .

中国专利 :CN109216446A ,2019-01-15

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