MIS半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN94101918.7
申请日
1994-01-18
公开(公告)号
CN1092556A
公开(公告)日
1994-09-21
发明(设计)人
山崎舜平 竹村保彦
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2102 H01L2978
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
肖掬昌;张志醒
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
MIS半导体器件及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
竹村保彦 .
中国专利 :CN1208257A ,1999-02-17
[2]
MIS半导体器件及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
竹村保彦 .
中国专利 :CN1241816A ,2000-01-19
[3]
MIS半导体器件的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
竹村保彦 .
中国专利 :CN1061468C ,1994-10-12
[4]
MIS半导体器件的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
竹村保彦 .
中国专利 :CN1314080C ,2002-08-07
[5]
MIS型半导体器件及其制造方法 [P]. 
园山贵广 ;
冈彻 .
中国专利 :CN103178099A ,2013-06-26
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
东野朋子 ;
宫崎忠一 ;
阿部由之 .
中国专利 :CN100568473C ,2007-02-14
[7]
MIS半导体器件和互补MIS半导体器件 [P]. 
土屋义规 ;
小山正人 ;
西野弘刚 .
中国专利 :CN1838430A ,2006-09-27
[8]
半导体器件制造方法及其半导体器件 [P]. 
杉井信之 ;
中川清和 ;
山口伸也 ;
宫尾正信 .
中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04
[9]
多层半导体器件及其制造方法 [P]. 
孙龙勋 ;
姜声官 ;
李钟昱 .
中国专利 :CN101009247A ,2007-08-01
[10]
半导体衬底及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
永野元 ;
宫野清孝 ;
水岛一郎 .
中国专利 :CN1288717C ,2004-09-22