MIS半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99108890.5

申请日：

1994-01-18

公开(公告)号：

CN1241816A

公开(公告)日：

2000-01-19

发明(设计)人：

山崎舜平竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2128 H01L29786 H01L21768

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-26	授权	授权
2014-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101577930912 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL991088905 申请日:19940118 授权公告日:20071226 终止日期:20130118
2000-01-19	公开	公开
1999-12-22	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

MIS半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1208257A ,1999-02-17

[2]

MIS半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1061468C ,1994-10-12

[3]

MIS半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1314080C ,2002-08-07

[4]

MIS半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1092556A ,1994-09-21

[5]

MIS型半导体器件及其制造方法 [P].

园山贵广 ;

冈彻 .

中国专利 :CN103178099A ,2013-06-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 ;

小森重树 ;

犬石昌秀 .

中国专利 :CN1306615C ,2004-06-02

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 ;

冈本隆幸 .

中国专利 :CN100341140C ,2003-09-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1037923C ,1996-03-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

若林猛 .

中国专利 :CN1337065A ,2002-02-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

定别当裕康 ;

三原一郎 .

中国专利 :CN1568546B ,2005-01-19

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