MIS型半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210567894.3

申请日：

2012-12-24

公开(公告)号：

CN103178099A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

园山贵广冈彻

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2951

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-26	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497335052 IPC(主分类):H01L 29/51 专利申请号:2012105678943 申请日:20121224
2016-03-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729179085 IPC(主分类):H01L 29/51 专利申请号:2012105678943 申请公布日:20130626

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

小野升太郎 ;

斋藤涉 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102194883A ,2011-09-21

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

石垣隆士 ;

长部太郎 ;

小林孝 ;

今井丰 ;

清水雅裕 .

中国专利 :CN101000924A ,2007-07-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

松田昇 .

中国专利 :CN1534795A ,2004-10-06

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN107546232A ,2018-01-05

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山本芳树 ;

槙山秀树 ;

角村贵昭 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN104137238B ,2014-11-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 .

中国专利 :CN1819269A ,2006-08-16

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

臼田宏治 ;

手塚勉 .

中国专利 :CN102593118B ,2012-07-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

砂村润 ;

井上尚也 ;

金子贵昭 .

中国专利 :CN102956591A ,2013-03-06

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

金永奭 .

中国专利 :CN101409307A ,2009-04-15

[10]

MOS型半导体器件及其制造方法 [P].

土明正胜 .

中国专利 :CN1881614A ,2006-12-20

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