半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210284956.X

申请日：

2012-08-10

公开(公告)号：

CN102956591A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

砂村润井上尚也金子贵昭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L23488 H01L2951 H01L2160 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586759360 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:201210284956X 申请日:20120810
2015-11-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722860078 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:201210284956X 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2017-09-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101759947037 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:201210284956X 申请公布日:20130306
2013-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

小野升太郎 ;

斋藤涉 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102194883A ,2011-09-21

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

石垣隆士 ;

长部太郎 ;

小林孝 ;

今井丰 ;

清水雅裕 .

中国专利 :CN101000924A ,2007-07-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

松田昇 .

中国专利 :CN1534795A ,2004-10-06

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN107546232A ,2018-01-05

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山本芳树 ;

槙山秀树 ;

角村贵昭 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN104137238B ,2014-11-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 .

中国专利 :CN1819269A ,2006-08-16

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

臼田宏治 ;

手塚勉 .

中国专利 :CN102593118B ,2012-07-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金永奭 .

中国专利 :CN101409307A ,2009-04-15

[9]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103329275A ,2013-09-25

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

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