一种新型晶体管的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201810634507.0
申请日
2018-06-20
公开(公告)号
CN110620044A
公开(公告)日
2019-12-27
发明(设计)人
刘程秀
申请人
申请人地址
214035 江苏省无锡市梁溪区北塘古华山路惠麓东苑8号309-001
IPC主分类号
H01L2134
IPC分类号
H01L2924
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体管的制作方法 [P]. 
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李凤莲 ;
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张海洋 .
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晶体管结构和晶体管的制作方法 [P]. 
黄北洲 .
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[3]
一种薄膜晶体管的制作方法 [P]. 
张盛东 ;
贺鑫 ;
王漪 ;
韩德栋 ;
韩汝琦 .
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[4]
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[5]
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[6]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
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[7]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
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[8]
双极晶体管的制作方法 [P]. 
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[9]
PMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韩秋华 ;
隋运奇 .
中国专利 :CN104143511A ,2014-11-12
[10]
PMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韩秋华 .
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