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一种新型晶体管的制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810634507.0
申请日
:
2018-06-20
公开(公告)号
:
CN110620044A
公开(公告)日
:
2019-12-27
发明(设计)人
:
刘程秀
申请人
:
申请人地址
:
214035 江苏省无锡市梁溪区北塘古华山路惠麓东苑8号309-001
IPC主分类号
:
H01L2134
IPC分类号
:
H01L2924
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-03
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/34 申请公布日:20191227
2019-12-27
公开
公开
共 50 条
[1]
晶体管的制作方法
[P].
王冬江
论文数:
0
引用数:
0
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0
王冬江
;
李凤莲
论文数:
0
引用数:
0
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李凤莲
;
王新鹏
论文数:
0
引用数:
0
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王新鹏
;
张海洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
张海洋
.
中国专利
:CN103915323B
,2014-07-09
[2]
晶体管结构和晶体管的制作方法
[P].
黄北洲
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄北洲
.
中国专利
:CN108054214A
,2018-05-18
[3]
一种薄膜晶体管的制作方法
[P].
张盛东
论文数:
0
引用数:
0
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张盛东
;
贺鑫
论文数:
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贺鑫
;
王漪
论文数:
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0
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王漪
;
韩德栋
论文数:
0
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0
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0
韩德栋
;
韩汝琦
论文数:
0
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0
韩汝琦
.
中国专利
:CN102157565A
,2011-08-17
[4]
MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管
[P].
刘佳磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘佳磊
.
中国专利
:CN105529265A
,2016-04-27
[5]
PMOS晶体管的制作方法
[P].
韩秋华
论文数:
0
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韩秋华
;
隋运奇
论文数:
0
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隋运奇
.
中国专利
:CN104143512B
,2014-11-12
[6]
MOS晶体管的制作方法
[P].
刘焕新
论文数:
0
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0
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0
刘焕新
.
中国专利
:CN103794503A
,2014-05-14
[7]
MOS晶体管的制作方法
[P].
于书坤
论文数:
0
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于书坤
;
韦庆松
论文数:
0
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韦庆松
.
中国专利
:CN105719970B
,2016-06-29
[8]
双极晶体管的制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108109913B
,2018-06-01
[9]
PMOS晶体管的制作方法
[P].
韩秋华
论文数:
0
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0
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韩秋华
;
隋运奇
论文数:
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0
隋运奇
.
中国专利
:CN104143511A
,2014-11-12
[10]
PMOS晶体管的制作方法
[P].
韩秋华
论文数:
0
引用数:
0
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0
韩秋华
.
中国专利
:CN104183493B
,2014-12-03
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