PMOS晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310169514.5

申请日：

2013-05-09

公开(公告)号：

CN104143511A

公开(公告)日：

2014-11-12

发明(设计)人：

韩秋华隋运奇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张亚利;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-12	公开	公开
2016-12-28	授权	授权
2014-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590944663 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013101695145 申请日:20130509

共 50 条

[1]

PMOS晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 ;

隋运奇 .

中国专利 :CN104143512B ,2014-11-12

[2]

PMOS晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104183493B ,2014-12-03

[3]

PMOS晶体管的制作方法 [P].

张海洋 ;

隋运奇 ;

韩秋华 ;

张城龙 .

中国专利 :CN103545204B ,2014-01-29

[4]

PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN104103515A ,2014-10-15

[5]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[6]

PMOS晶体管的制造方法及PMOS晶体管 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101728269A ,2010-06-09

[7]

NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法 [P].

郑俊丰 .

中国专利 :CN106206740B ,2016-12-07

[8]

PMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104217953B ,2014-12-17

[9]

PMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104217956A ,2014-12-17

[10]

MOS晶体管的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN103871968A ,2014-06-18

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