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PMOS晶体管的制造方法及PMOS晶体管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810224805.9
申请日：
2008-10-21
公开(公告)号：
CN101728269A
公开(公告)日：
2010-06-09
发明(设计)人：
居建华
申请人：
申请人地址：
100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2128 H01L2978 H01L2951
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
李丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2010-06-09 公开 公开
2010-08-11 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004502785 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008102248059 申请日:20081021
2012-08-22 授权 授权
共 50 条
[1]
PMOS晶体管的制造方法 [P]. 
冯军宏 ;
甘正浩 .
中国专利 :CN102891084A ,2013-01-23
[2]
PMOS晶体管的制造方法 [P]. 
甘正浩 ;
郑凯 .
中国专利 :CN102054700B ,2011-05-11
[3]
PMOS晶体管结构及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN103187447A ,2013-07-03
[4]
PMOS晶体管结构及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN104425262B ,2015-03-18
[5]
高压PMOS晶体管 [P]. 
马丁·克奈普 .
中国专利 :CN101124680A ,2008-02-13
[6]
PMOS晶体管的形成方法 [P]. 
禹国宾 .
中国专利 :CN105244278A ,2016-01-13
[7]
PMOS晶体管的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104681436A ,2015-06-03
[8]
PMOS晶体管的形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN106960795A ,2017-07-18
[9]
PMOS晶体管的形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN105206530A ,2015-12-30
[10]
PMOS晶体管的形成方法 [P]. 
邓浩 ;
张彬 .
中国专利 :CN103165448A ,2013-06-19
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