PMOS晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910198584.7

申请日：

2009-11-10

公开(公告)号：

CN102054700B

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

甘正浩郑凯

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-06	授权	授权
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081907664 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101985847 申请日:20091110
2011-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

PMOS晶体管的制造方法 [P].

冯军宏 ;

甘正浩 .

中国专利 :CN102891084A ,2013-01-23

[2]

PMOS晶体管的制造方法及PMOS晶体管 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101728269A ,2010-06-09

[3]

PMOS晶体管金属栅极的制造方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103137456A ,2013-06-05

[4]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103000523B ,2013-03-27

[5]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103187447A ,2013-07-03

[6]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103000525B ,2013-03-27

[7]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104425262B ,2015-03-18

[8]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104681436A ,2015-06-03

[9]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 ;

陈勇 .

中国专利 :CN103426767A ,2013-12-04

[10]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105206530A ,2015-12-30

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