PMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310224079.1

申请日：

2013-06-05

公开(公告)号：

CN104217956A

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	公开	公开
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594937094 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013102240791 申请日:20130605
2017-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

PMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104217953B ,2014-12-17

[2]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[3]

PMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103632975B ,2014-03-12

[4]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29

[5]

NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法 [P].

郑俊丰 .

中国专利 :CN106206740B ,2016-12-07

[6]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[7]

PMOS晶体管、NMOS晶体管及其各自的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103871887A ,2014-06-18

[8]

NMOS晶体管及其制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103855025A ,2014-06-11

[9]

PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN104103515A ,2014-10-15

[10]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102130058A ,2011-07-20

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