PMOS晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210238209.2

申请日：

2012-07-10

公开(公告)号：

CN103545204B

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

张海洋隋运奇韩秋华张城龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576172078 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102382092 申请日:20120710
2016-06-29	授权	授权
2014-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN104103515A ,2014-10-15

[2]

PMOS晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 ;

隋运奇 .

中国专利 :CN104143512B ,2014-11-12

[3]

PMOS晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 ;

隋运奇 .

中国专利 :CN104143511A ,2014-11-12

[4]

PMOS晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104183493B ,2014-12-03

[5]

PMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103632975B ,2014-03-12

[6]

NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法 [P].

郑俊丰 .

中国专利 :CN106206740B ,2016-12-07

[7]

PMOS晶体管、NMOS晶体管及其各自的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103871887A ,2014-06-18

[8]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

隋运奇 .

中国专利 :CN103545202B ,2014-01-29

[9]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[10]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN105632927A ,2016-06-01

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