IGBT芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811291406.4

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN111129134B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

黄宝伟肖秀光

申请人：

申请人地址：

518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325

代理人：

张美君

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	授权	授权
2021-03-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20210316 变更事项:申请人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2020-05-08	公开	公开
2020-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20181031

共 50 条

[1]

IGBT芯片及其制造方法 [P].

朱辉 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN110943124A ,2020-03-31

[2]

IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 [P].

王耀华 ;

温家良 ;

金锐 ;

赵哿 ;

刘江 ;

高明超 ;

崔磊 ;

李立 ;

朱涛 .

中国专利 :CN107578998B ,2018-01-12

[3]

IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN113224136A ,2021-08-06

[4]

IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P].

葛孝昊 ;

史波 ;

曾丹 ;

陈茂麟 .

中国专利 :CN113224136B ,2025-08-01

[5]

一种IGBT芯片及其制造方法 [P].

李立 ;

吴郁 ;

刘钺杨 ;

刘江 ;

王耀华 ;

金锐 ;

高文玉 ;

于坤山 .

中国专利 :CN104934470A ,2015-09-23

[6]

一种IGBT芯片及其制造方法 [P].

王春花 .

中国专利 :CN111403478A ,2020-07-10

[7]

一种IGBT芯片及其制造方法 [P].

吕新立 ;

薛涛 .

中国专利 :CN103956380A ,2014-07-30

[8]

IGBT芯片及其制备方法 [P].

李迪 ;

宁旭斌 ;

肖强 ;

覃荣震 .

中国专利 :CN113035950B ,2021-06-25

[9]

IGBT芯片及其制备方法 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN104157683B ,2014-11-19

[10]

IGBT散热基板及其制造方法、IGBT模组及其制造方法 [P].

钟山 ;

胡启钊 ;

李国庆 ;

林伟健 .

中国专利 :CN106098648A ,2016-11-09

← 1 2 3 4 5 →