IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010064134.5
申请日
2020-01-20
公开(公告)号
CN113224136B
公开(公告)日
2025-08-01
发明(设计)人
葛孝昊 史波 曾丹 陈茂麟
申请人
珠海格力电器股份有限公司 珠海零边界集成电路有限公司
申请人地址
519000 广东省珠海市前山金鸡西路
IPC主分类号
H10D62/13
IPC分类号
H10D62/10 H10D62/17 H10D12/00 H10D12/01 G03F1/00
代理机构
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
吴大建;何娇
法律状态
授权
国省代码
广东省 珠海市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P]. 
葛孝昊 ;
史波 ;
曾丹 ;
陈茂麟 .
中国专利 :CN113224136A ,2021-08-06
[2]
IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版 [P]. 
葛孝昊 ;
史波 ;
曾丹 ;
陈茂麟 .
中国专利 :CN211150564U ,2020-07-31
[3]
IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 [P]. 
王耀华 ;
温家良 ;
金锐 ;
赵哿 ;
刘江 ;
高明超 ;
崔磊 ;
李立 ;
朱涛 .
中国专利 :CN107578998B ,2018-01-12
[4]
IGBT芯片及其制造方法 [P]. 
朱辉 ;
肖秀光 .
中国专利 :CN110943124A ,2020-03-31
[5]
IGBT芯片及其制造方法 [P]. 
黄宝伟 ;
肖秀光 .
中国专利 :CN111129134B ,2020-05-08
[6]
一种IGBT芯片及其制造方法 [P]. 
王春花 .
中国专利 :CN111403478A ,2020-07-10
[7]
一种IGBT芯片及其制造方法 [P]. 
吕新立 ;
薛涛 .
中国专利 :CN103956380A ,2014-07-30
[8]
IGBT芯片子单元的封装结构及其制造方法 [P]. 
戴小平 ;
王亚飞 ;
王彦刚 ;
窦泽春 ;
吴煜东 .
中国专利 :CN111128900A ,2020-05-08
[9]
一种IGBT芯片及其制造方法 [P]. 
李立 ;
吴郁 ;
刘钺杨 ;
刘江 ;
王耀华 ;
金锐 ;
高文玉 ;
于坤山 .
中国专利 :CN104934470A ,2015-09-23
[10]
IGBT芯片、其制造方法及功率模块 [P]. 
肖婷 ;
史波 ;
敖利波 ;
曾丹 ;
刘勇强 .
中国专利 :CN112768503B ,2021-05-07