IGBT芯片、其制造方法及功率模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911002701.8

申请日：

2019-10-21

公开(公告)号：

CN112768503B

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

肖婷史波敖利波曾丹刘勇强

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市前山金鸡西路

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L4902

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;张杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	授权	授权
2021-05-07	公开	公开
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191021

共 50 条

[1]

IGBT芯片及半导体功率模块 [P].

左义忠 .

中国专利 :CN111273073B ,2020-06-12

[2]

一种IGBT芯片及半导体功率模块 [P].

左义忠 .

中国专利 :CN110649093A ,2020-01-03

[3]

IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 [P].

王耀华 ;

温家良 ;

金锐 ;

赵哿 ;

刘江 ;

高明超 ;

崔磊 ;

李立 ;

朱涛 .

中国专利 :CN107578998B ,2018-01-12

[4]

超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块 [P].

步建康 ;

徐朝军 ;

李士垚 .

中国专利 :CN205122592U ,2016-03-30

[5]

IGBT功率模块 [P].

胡鑫 ;

曹连鹏 ;

任平志 .

中国专利 :CN222483357U ,2025-02-14

[6]

IGBT功率模块 [P].

周晓阳 ;

王咏 ;

闫鹏修 .

中国专利 :CN211045424U ,2020-07-17

[7]

IGBT功率模块 [P].

杨杰 ;

王少波 ;

许诺 .

中国专利 :CN221080002U ,2024-06-04

[8]

IGBT功率模块 [P].

杨杰 ;

王少波 ;

许诺 ;

管博 ;

殷浩 .

中国专利 :CN117334684A ,2024-01-02

[9]

IGBT功率模块 [P].

杨杰 ;

王少波 ;

许诺 ;

管博 ;

殷浩 .

中国专利 :CN117334684B ,2025-02-07

[10]

IGBT功率模块 [P].

李恊松 .

中国专利 :CN220526917U ,2024-02-23

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