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IGBT芯片及半导体功率模块
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010248679.1
申请日
:
2020-03-31
公开(公告)号
:
CN111273073B
公开(公告)日
:
2020-06-12
发明(设计)人
:
左义忠
申请人
:
申请人地址
:
132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
IPC主分类号
:
G01R1900
IPC分类号
:
H02M100
H02M700
代理机构
:
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
:
李莎
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 19/00 申请日:20200331
2020-06-12
公开
公开
2022-05-20
授权
授权
共 50 条
[1]
一种IGBT芯片及半导体功率模块
[P].
左义忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
左义忠
.
中国专利
:CN110649093A
,2020-01-03
[2]
半导体功率模块(IGBT)
[P].
陈劲松
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
池州莫新机电科技有限公司
池州莫新机电科技有限公司
陈劲松
;
崔冬伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
池州莫新机电科技有限公司
池州莫新机电科技有限公司
崔冬伟
.
中国专利
:CN309675047S
,2025-12-16
[3]
半导体装置及功率模块
[P].
大桥英知
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大桥英知
.
中国专利
:CN109936351A
,2019-06-25
[4]
半导体装置及功率模块
[P].
大桥英知
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
富士电机株式会社
富士电机株式会社
大桥英知
.
日本专利
:CN109936351B
,2024-05-31
[5]
芯片及半导体功率模块
[P].
魏培远
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
经纬恒润(天津)研究开发有限公司
经纬恒润(天津)研究开发有限公司
魏培远
;
荣宇佳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
经纬恒润(天津)研究开发有限公司
经纬恒润(天津)研究开发有限公司
荣宇佳
.
中国专利
:CN223363146U
,2025-09-19
[6]
功率半导体模块(IGBT)
[P].
李恊松
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
李恊松
;
陈绪全
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
陈绪全
.
中国专利
:CN309162866S
,2025-03-11
[7]
功率半导体模块(IGBT)
[P].
李恊松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
李恊松
.
中国专利
:CN309162883S
,2025-03-11
[8]
半导体功率模块
[P].
绀野哲丰
论文数:
0
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0
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绀野哲丰
;
东克典
论文数:
0
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0
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东克典
;
安藤拓司
论文数:
0
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0
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0
安藤拓司
.
中国专利
:CN102881682A
,2013-01-16
[9]
半导体功率模块
[P].
C·M·劳腾萨克
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
罗伯特·博世有限公司
罗伯特·博世有限公司
C·M·劳腾萨克
;
A·凯撒
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0
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0
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机构:
罗伯特·博世有限公司
罗伯特·博世有限公司
A·凯撒
;
J·霍莫斯
论文数:
0
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0
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0
机构:
罗伯特·博世有限公司
罗伯特·博世有限公司
J·霍莫斯
.
德国专利
:CN113795917B
,2025-08-01
[10]
半导体功率模块
[P].
C·M·劳腾萨克
论文数:
0
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0
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0
C·M·劳腾萨克
;
A·凯撒
论文数:
0
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0
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A·凯撒
;
J·霍莫斯
论文数:
0
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0
J·霍莫斯
.
中国专利
:CN113795917A
,2021-12-14
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