IGBT芯片及半导体功率模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010248679.1
申请日
2020-03-31
公开(公告)号
CN111273073B
公开(公告)日
2020-06-12
发明(设计)人
左义忠
申请人
申请人地址
132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
IPC主分类号
G01R1900
IPC分类号
H02M100 H02M700
代理机构
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
李莎
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种IGBT芯片及半导体功率模块 [P]. 
左义忠 .
中国专利 :CN110649093A ,2020-01-03
[2]
半导体功率模块(IGBT) [P]. 
陈劲松 ;
崔冬伟 .
中国专利 :CN309675047S ,2025-12-16
[3]
半导体装置及功率模块 [P]. 
大桥英知 .
中国专利 :CN109936351A ,2019-06-25
[4]
半导体装置及功率模块 [P]. 
大桥英知 .
日本专利 :CN109936351B ,2024-05-31
[5]
芯片及半导体功率模块 [P]. 
魏培远 ;
荣宇佳 .
中国专利 :CN223363146U ,2025-09-19
[6]
功率半导体模块(IGBT) [P]. 
李恊松 ;
陈绪全 .
中国专利 :CN309162866S ,2025-03-11
[7]
功率半导体模块(IGBT) [P]. 
李恊松 .
中国专利 :CN309162883S ,2025-03-11
[8]
半导体功率模块 [P]. 
绀野哲丰 ;
东克典 ;
安藤拓司 .
中国专利 :CN102881682A ,2013-01-16
[9]
半导体功率模块 [P]. 
C·M·劳腾萨克 ;
A·凯撒 ;
J·霍莫斯 .
德国专利 :CN113795917B ,2025-08-01
[10]
半导体功率模块 [P]. 
C·M·劳腾萨克 ;
A·凯撒 ;
J·霍莫斯 .
中国专利 :CN113795917A ,2021-12-14