半导体功率模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080034252.X

申请日：

2020-04-08

公开(公告)号：

CN113795917B

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

C·M·劳腾萨克 A·凯撒 J·霍莫斯

申请人：

罗伯特·博世有限公司

申请人地址：

德国斯图加特

IPC主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H10D80/20 H01L25/18 H01L23/48 H01L23/34

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

赵林琳;张鹏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体功率模块 [P].

C·M·劳腾萨克 ;

A·凯撒 ;

J·霍莫斯 .

中国专利 :CN113795917A ,2021-12-14

[2]

半导体功率模块 [P].

绀野哲丰 ;

东克典 ;

安藤拓司 .

中国专利 :CN102881682A ,2013-01-16

[3]

半导体装置及功率模块 [P].

大桥英知 .

中国专利 :CN109936351A ,2019-06-25

[4]

半导体装置及功率模块 [P].

大桥英知 .

日本专利 :CN109936351B ,2024-05-31

[5]

功率半导体模块和制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿尔特豪斯 ;

A·格罗夫 ;

C·利布尔 .

德国专利 :CN119208305A ,2024-12-27

[6]

功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P].

中村宏之 .

中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03

[7]

功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法 [P].

柳春雷 ;

N·舒尔茨 ;

S·基辛 .

中国专利 :CN102646667A ,2012-08-22

[8]

功率半导体模块和功率半导体模块系统 [P].

G.博格霍夫 .

中国专利 :CN102790029B ,2012-11-21

[9]

半导体功率模块的连接布置 [P].

D·科泰特 ;

G·阿斯普伦 ;

S·林德 .

中国专利 :CN102203941A ,2011-09-28

[10]

半导体功率模块 [P].

林健二 ;

林口匡司 .

中国专利 :CN109417067B ,2019-03-01

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