半导体装置及功率模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811246661.7
申请日
2018-10-25
公开(公告)号
CN109936351B
公开(公告)日
2024-05-31
发明(设计)人
大桥英知
申请人
富士电机株式会社
申请人地址
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
H03K17/08
IPC分类号
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
齐雪娇;金玉兰
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及功率模块 [P]. 
大桥英知 .
中国专利 :CN109936351A ,2019-06-25
[2]
半导体装置及功率模块 [P]. 
大岳浩隆 .
日本专利 :CN117637731A ,2024-03-01
[3]
半导体装置及功率模块 [P]. 
大岳浩隆 .
中国专利 :CN111758158A ,2020-10-09
[4]
半导体装置及功率模块 [P]. 
大岳浩隆 .
日本专利 :CN111758158B ,2024-01-02
[5]
IGBT芯片及半导体功率模块 [P]. 
左义忠 .
中国专利 :CN111273073B ,2020-06-12
[6]
半导体功率模块 [P]. 
C·M·劳腾萨克 ;
A·凯撒 ;
J·霍莫斯 .
德国专利 :CN113795917B ,2025-08-01
[7]
半导体功率模块 [P]. 
C·M·劳腾萨克 ;
A·凯撒 ;
J·霍莫斯 .
中国专利 :CN113795917A ,2021-12-14
[8]
半导体装置、功率模块、半导体装置的制造方法及半导体模块 [P]. 
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中国专利 :CN115020258A ,2022-09-06
[9]
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柳春雷 ;
N·舒尔茨 ;
S·基辛 .
中国专利 :CN102646667A ,2012-08-22
[10]
功率模块、半导体装置 [P]. 
长原辉明 .
中国专利 :CN110164828A ,2019-08-23