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半导体装置及功率模块
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811246661.7
申请日
:
2018-10-25
公开(公告)号
:
CN109936351B
公开(公告)日
:
2024-05-31
发明(设计)人
:
大桥英知
申请人
:
富士电机株式会社
申请人地址
:
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
:
H03K17/08
IPC分类号
:
代理机构
:
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
:
齐雪娇;金玉兰
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-31
授权
授权
2024-09-27
专利权期限的补偿
专利权期限补偿IPC(主分类):H03K 17/08申请日:20181025授权公告日:20240531原专利权期满终止日:20381025现专利权期满终止日:20390628
共 50 条
[1]
半导体装置及功率模块
[P].
大桥英知
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大桥英知
.
中国专利
:CN109936351A
,2019-06-25
[2]
半导体装置及功率模块
[P].
大岳浩隆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
罗姆股份有限公司
罗姆股份有限公司
大岳浩隆
.
日本专利
:CN117637731A
,2024-03-01
[3]
半导体装置及功率模块
[P].
大岳浩隆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大岳浩隆
.
中国专利
:CN111758158A
,2020-10-09
[4]
半导体装置及功率模块
[P].
大岳浩隆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
罗姆股份有限公司
罗姆股份有限公司
大岳浩隆
.
日本专利
:CN111758158B
,2024-01-02
[5]
IGBT芯片及半导体功率模块
[P].
左义忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
左义忠
.
中国专利
:CN111273073B
,2020-06-12
[6]
半导体功率模块
[P].
C·M·劳腾萨克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
罗伯特·博世有限公司
罗伯特·博世有限公司
C·M·劳腾萨克
;
A·凯撒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
罗伯特·博世有限公司
罗伯特·博世有限公司
A·凯撒
;
J·霍莫斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
罗伯特·博世有限公司
罗伯特·博世有限公司
J·霍莫斯
.
德国专利
:CN113795917B
,2025-08-01
[7]
半导体功率模块
[P].
C·M·劳腾萨克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
C·M·劳腾萨克
;
A·凯撒
论文数:
0
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0
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0
A·凯撒
;
J·霍莫斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·霍莫斯
.
中国专利
:CN113795917A
,2021-12-14
[8]
半导体装置、功率模块、半导体装置的制造方法及半导体模块
[P].
大塚拓一
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大塚拓一
.
中国专利
:CN115020258A
,2022-09-06
[9]
功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法
[P].
柳春雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柳春雷
;
N·舒尔茨
论文数:
0
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0
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0
N·舒尔茨
;
S·基辛
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·基辛
.
中国专利
:CN102646667A
,2012-08-22
[10]
功率模块、半导体装置
[P].
长原辉明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
长原辉明
.
中国专利
:CN110164828A
,2019-08-23
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