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半导体功率模块（IGBT）
被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202530282804.4
申请日：
2025-05-20
公开(公告)号：
CN309675047S
公开(公告)日：
2025-12-16
发明(设计)人：
陈劲松
崔冬伟
申请人：
池州莫新机电科技有限公司
申请人地址：
247099 安徽省池州市电子信息产业园三期13号
IPC主分类号：
13-03
IPC分类号：
代理机构：
安徽智鼎华诚专利代理事务所(普通合伙) 34242
代理人：
胡海洋
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-16 | 授权 | 授权 |