超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520767211.8

申请日：

2015-09-30

公开(公告)号：

CN205122592U

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

步建康徐朝军李士垚

申请人：

申请人地址：

050000 河北省石家庄市裕华区淮安东路与翟营大街交叉口库财库商务国际

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

石家庄科诚专利事务所 13113

代理人：

张红卫;刘谟培

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20191227 变更事项:专利权人变更前权利人:河北昂扬微电子科技有限公司变更后权利人:任彩丽变更事项:地址变更前权利人:050000 河北省石家庄市裕华区淮安东路与翟营大街交叉口库财库商务国际变更后权利人:050000 河北省石家庄市裕华区翟营大街287号2栋4单元401号
2016-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT芯片封装方法及IGBT芯片封装模块 [P].

张伟 .

中国专利 :CN118782478A ,2024-10-15

[2]

IGBT芯片及半导体功率模块 [P].

左义忠 .

中国专利 :CN111273073B ,2020-06-12

[3]

IGBT芯片、其制造方法及功率模块 [P].

肖婷 ;

史波 ;

敖利波 ;

曾丹 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN112768503B ,2021-05-07

[4]

IGBT功率模块的封装结构及采用该封装结构的IGBT功率模块 [P].

张凯 ;

刘刚 ;

孙峻峰 ;

任静 ;

谢云龙 ;

任成才 ;

王阔 ;

于丽阳 ;

王高虎 ;

祁招 ;

张文锦 .

中国专利 :CN112421934B ,2021-02-26

[5]

IGBT功率模块封装结构 [P].

严大生 ;

马玉林 ;

王忠伟 ;

付小雷 ;

陈健洺 .

中国专利 :CN220963348U ,2024-05-14

[6]

IGBT大电流芯片封装单元及大电流IGBT功率装置 [P].

严大生 ;

马玉林 ;

王忠伟 ;

陈健洺 ;

许昭雄 ;

付小雷 ;

林延信 .

中国专利 :CN220856567U ,2024-04-26

[7]

IGBT大尺寸芯片封装单元及大尺寸IGBT功率装置 [P].

王忠伟 ;

严大生 ;

付小雷 ;

王玉定 ;

许昭雄 ;

陈健洺 .

中国专利 :CN221727102U ,2024-09-17

[8]

多芯片封装功率模块 [P].

季鹏凯 ;

辛晓妮 ;

陈燕 ;

陈庆东 ;

洪守玉 ;

曾剑鸿 ;

赵振清 .

中国专利 :CN111415909B ,2020-07-14

[9]

IGBT模块封装结构及IGBT芯片的温度检测方法 [P].

项澹颐 .

中国专利 :CN110707062A ,2020-01-17

[10]

IGBT芯片制造方法及IGBT芯片 [P].

王耀华 ;

温家良 ;

金锐 ;

赵哿 ;

刘江 ;

高明超 ;

崔磊 ;

李立 ;

朱涛 .

中国专利 :CN107578998B ,2018-01-12

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